一种深度低共熔溶剂辅助合成石墨烯封装Ni2P材料

摘要

本发明公开了一种深度低共熔溶剂辅助合成石墨烯封装Ni2P材料。首先将3d过渡金属化合物与碳源材料混合形成深度低共熔溶剂，然后将形成的深度低共熔溶剂在氮气气氛炉中，加热区上游放置磷化镍，焙烧得到成品。该方法操作简单，制备成本低，易工业化生产，所得石墨烯封装Ni2P材料形貌规整，尺寸可调，具有较好的晶型；此外，石墨烯封装Ni2P材料下形成的相界面有利于电荷的有效分离，提高电催化活性。此外，石墨烯的生成有利于电荷的传输，提高样品的电催化活性，并且石墨烯可以作为“铠甲”，有效的抑制石墨烯封装Ni2P材料的腐蚀，提高催化剂的稳定性；不同配体得到的石墨烯封装Ni2P材料均具有良好的电催化析氢析氧性能。