公开/公告号CN109136926A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市华星光电技术有限公司;
申请/专利号CN201811013179.9
发明设计人 赵芬利;
申请日2018-08-31
分类号
代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙);
代理人黄威
地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
入库时间 2024-02-19 07:07:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-29
实质审查的生效 IPC(主分类):C23F1/18 申请日:20180831
实质审查的生效
2019-01-04
公开
公开
机译: 铜钼膜层的刻蚀方法及刻蚀装置
机译: 用于各向同性铜刻蚀的湿法刻蚀成分,适用于刻蚀过载铜
机译: 刻蚀包含铜层和钛层的多层薄膜的刻蚀解决方案和使用相同的刻蚀方法,以及使用刻蚀方法获得的基板