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公开/公告号CN109343640A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十八研究所;
申请/专利号CN201811395198.2
发明设计人 黄少卿;朱琪;顾小明;罗永波;宣志斌;肖培磊;
申请日2018-11-22
分类号
代理机构无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人杨立秋
地址 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
入库时间 2024-02-19 06:59:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/567 申请日:20181122
实质审查的生效
2019-02-15
公开
机译: 低噪声带隙基准电压源
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:1V以下的低噪声带隙基准电压源
机译:具有分段补偿的高PSRR带隙基准电压源
机译:高PSRR低噪声CMOS带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:三元光物理性质的研究Zn-Ga-S量子点:带隙与亚带隙激发和排放
机译:采用动态元件匹配的低噪声带隙基准电压源
机译:低带隙,单片,多带隙,光电器件。