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一种大口径光学元件表面吸收型缺陷分布快速成像的方法

摘要

本发明公开了一种大口径光学元件表面及亚表面吸收型缺陷分布的快速成像方法,运用高能量脉冲激光经准直扩束形成大尺寸激励光斑对光学元件进行照射加热,光学元件表面及亚表面的吸收型缺陷在样品内形成瞬态温度分布及折射率分布。经过一定延时后,运用另一束低能量脉冲激光经准直扩束形成大尺寸探测光斑穿过光学元件被照射的相同区域,其衍射光场分布由CCD记录。通过控制激励和探测激光脉冲之间的延时并分析CCD记录的衍射光场图像特征确定光学元件被照射区域是否存在吸收型缺陷以及相应特征。本方法保留了传统光热透镜技术探测灵敏度和分辨率高等优点,并极大地提高了单次探测面积,使大口径光学元件吸收型缺陷分布的快速检测成为可行。

著录项

  • 公开/公告号CN109444166A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201811470960.9

  • 发明设计人 李斌成;孙启明;樊俊琪;

    申请日2018-12-04

  • 分类号G01N21/95(20060101);G01N25/20(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2024-02-19 06:57:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/95 申请日:20181204

    实质审查的生效

  • 2019-03-08

    公开

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