退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN109314108A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201780034738.1
发明设计人 H·潘特;M·Y·夏利弗;P·纳德萨米;R·维兰谷迪皮查;D·巴恩;
申请日2017-03-29
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 06:55:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20170329
实质审查的生效
2019-02-05
公开
机译: 在合并的n阱块中使用分裂的n阱单元的方法和设备
机译: 在合并的n阱块中使用分裂n阱细胞的方法和装置及相应的装置
机译:静压力对应变GaAs / GaAlAs双量子阱系统中阱内和阱间激子的影响
机译:使用分数维完全解析模型对应用外部场下多个量子阱慢光器件的理论分析
机译:量子阱光吸收器件中的光子逸出时间:电场和阱参数的影响
机译:使用原子动力学蒙特卡洛方法分析SiGe通道无植入量子阱(IFQW)器件中的掺杂剂扩散和缺陷
机译:计算库仑相互作用的混合方法:使用SIMION优化四极离子阱装置中许多离子模拟的有效方法
机译:研究与生物硫醇结合的汞:使用ESI-离子阱质谱仪进行结构鉴定并引入其HPLC分离方法同时通过ICP-MS和ESI-MS检测
机译:量子阱光吸收器件中的光载体逃逸时间:电场和阱参数的影响
机译:III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件(Onsilicon)。氧化物定义的半导体量子阱激光器和光电器件:al基III-V天然氧化物