VDMOS晶体管及制作VDMOS晶体管的方法

摘要

本发明公开一种VDMOS晶体管及其制作方法。其中，所述VDMOS晶体管包括衬底、形成在所述衬底上的第一外延层、形成在所述第一外延层上的第二外延层、形成在所述第二外延层上的栅、形成在所述第二外延层内的第一源区与第二源区，以及形成在所述第二外延层内的隔离槽结构。所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度，并且，所述第一、二外延层具有相同的导电类型。所述隔离槽结构位于所述第一源区与第二源区之间并且位于所述栅的下方。本发明的VDMOS晶体管及其制作方法，既可降低VDMOS晶体管的导通电阻，也可维持其击穿电压。