在信号切换瞬变期间减少存储器装置中的读取干扰

摘要

在感测过程期间用于减少存储器单元的读取干扰的存储器装置和相关联的技术。在未被选择的子区块中的存储器串的漏极端和/或源极端处，在感测过程期间将选择栅极晶体管一次或多次地转变到导电状态。转变可以在感测过程期间多次周期性地发生。当选择栅极晶体管处于导电状态中时，可以移除沟道中的累积的空穴。这有助于提供在感测过程结束时当未被选择的字线电压斜降时沟道电势的较快减少。紧挨于边缘数据存储器单元的干扰诱导的沟道梯度的持续时间减少，使得该单元的读取干扰也减少。