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公开/公告号CN109370439A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 河北工业大学;
申请/专利号CN201811228874.7
发明设计人 杨盛华;张保国;肖悦;于璇;考政晓;王万堂;刘旭阳;韦伟;王辰伟;刘玉岭;
申请日2018-10-22
分类号
代理机构天津市三利专利商标代理有限公司;
代理人杨欢
地址 300000 天津市红桥区丁字沽光荣道8号
入库时间 2024-02-19 06:47:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-19
实质审查的生效 IPC(主分类):C09G1/02 申请日:20181022
实质审查的生效
2019-02-22
公开
机译: 用于抛光铜阻挡层的CMP浆料组合物,可改善磨蚀和腐蚀
机译: 具有高钴清除率的钴化学机械抛光方法及降低钴腐蚀
机译: 用于在铜上胶结镍和/或钴的方法包括使铜表面与包含镍和/或钴离子和离子液体的液相接触,并以无电流方式沉积镍和/或钴。
机译:螯合剂对降低碱性浆料中钴和铜之间电偶腐蚀的影响
机译:铜与钌阻挡层金属膜互连的化学机械抛光中的电偶腐蚀控制
机译:1,2,4-三唑对CMP基碱浆料中钴和铜之间的电致腐蚀的影响
机译:钌阻挡层化学机械抛光过程中铜的电偶腐蚀研究
机译:锂对铜的取代对尖晶石氧化物锂(x)铜(yx)钴(3-y)氧(4)的性能的影响,该氧用于电催化氧化过程中释放出的氧碱性介质(法文)。
机译:作为钴脑病呈现的抛光钴 - 铬茎的腐蚀
机译:钨化学机械抛光过程中TiN-W电偶的电偶腐蚀
机译:光滑的热电偶表具有扩展的意义(°C)第2卷第2.10节金-2.1%钴与铜低温热电偶