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一种超长氧化钼纳米带生长方法

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本发明公开一种超长氧化钼纳米带生长方法，具体是使用气相沉积方法制备超长MoO

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公开/公告号CN109336180A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-15

原文格式PDF
申请/专利权人杭州电子科技大学;
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申请/专利号CN201810980856.8
发明设计人苏伟涛;王银亮;
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申请日2018-08-27
分类号
代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人黄前泽
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2024-02-19 06:47:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):C01G39/02 申请日:20180827

实质审查的生效
2019-02-15

公开

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