一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置

摘要

本发明公开了一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置，以碲粉为原料，在二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面采用物理气相沉积法进行碲纳米线的沉积生长；所述物理气相沉积的气相为氩气和氢气的混合气体，氩气和氢气的总流量为70sccm；所述理气相沉积的温度为600～800℃。即使用物理气相沉积法直接在二氧化硅/硅衬底上制备出碲纳米线。该实验以制备方法工艺简单，不涉及化学反应，具有环境友好等特点，成本低廉，所制备的碲纳米线质量高，纳米线的长径比可进行可控调节。碲纳米线可以作为气敏传感器、催化剂、热电材料、光电材料、太阳能电池以及场效应晶体管材料。