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原子层成长装置、使用原子层成长装置的成膜方法及原子层成长装置的清洁方法

摘要

为抑制于基板上形成的膜的膜质劣化,电浆原子层成长装置(1)具备:原料气体供给口(14),设置于成膜容器(1)的成膜容器(1A)的第一侧壁,且还具有作为清洁气体供给口的功能;原料气体排出口(15),设置于成膜容器(1A)的第二侧壁,且还具有作为清洁气体排出口的功能。

著录项

  • 公开/公告号CN109385619A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社日本制钢所;

    申请/专利号CN201810827079.3

  • 申请日2018-07-25

  • 分类号C23C16/455(20060101);C23C16/50(20060101);

  • 代理机构11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人南霆;王宁

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2024-02-19 06:40:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-26

    公开

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