原子層成長（ALD）装置

摘要

MOS FETでは，現在，ゲート絶縁膜厚が限界的な薄さに近付き，High-k材料の導入開発がなされている。また，High-k膜でのゲート制御のために，ゲート電極にはメタル材料が検討されている。VESTA社では，新型のALD装置として，High-kゲート絶縁膜用ALD装置「IRIS」と，メタルゲート電極用ALD装置「VULCAN」を開発した。本稿では，その概要を紹介する。