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一种采用非铜基耐高温导电基体制备几何面积可控的高密度氧化铜纳米线的方法

摘要

一种采用非铜基耐高温导电基体制备几何面积可控的高密度氧化铜纳米线的方法,该方法利用电沉积及高温煅烧简单两步法制备生长高密度的氧化铜纳米线阵列,首先通过电沉积技术在导电基体上电沉积几何面积可控的铜镀层,再利用高温煅烧技术制备得到高密度氧化铜纳米线阵列。本方法的优点是:方法简单、操作容易,酸性硫酸铜或碱性焦磷酸铜两种镀液可分别适用于不同酸碱耐受性的导电基体,并通过电沉积步骤控制镀层几何面积,制备得到的氧化铜纳米线阵列均匀的分布在基体上,同时氧化铜纳米线具有浓密、长度大和电化学活性表面积高的优势,可直接应用与电催化、光催化及光电催化等多个领域。

著录项

  • 公开/公告号CN109250745A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南开大学;

    申请/专利号CN201811121011.X

  • 发明设计人 万丽丽;李田;周启星;

    申请日2018-09-25

  • 分类号

  • 代理机构天津耀达律师事务所;

  • 代理人侯力

  • 地址 300071 天津市南开区卫津路94号

  • 入库时间 2024-02-19 06:35:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G3/02 申请日:20180925

    实质审查的生效

  • 2019-01-22

    公开

    公开

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