Autrefois appréhendées de manière globale sur le système complet, les contraintes de Compatibilité Electro-Magnétique (CEM) se sont d’abord reportées au niveau des équipements réalisant les différentes fonctions du système, puis au niveau des circuits intégrés. A l’heure actuelle, le comportement CEM est devenu un critère majeur de choix entre différents composants capables de réaliser une même fonction. Avec l’augmentation des fréquences de fonctionnement des circuits intégrés, les émissions électromagnétiques peuvent atteindre plusieurs GHz. Parallèlement, il faut tenir compte de l’explosion des réseaux sans fil à 2.45 GHz et à 5 GHz qui constituent de nouvelles sources de perturbations électromagnétiques. De nouvelles techniques de caractérisation doivent être investiguées, qui permettent d’effectuer des mesures CEM jusqu’à plusieurs GHz. Il faut aussi adapter les modèles actuels, basés sur des éléments localisés et donc difficilement applicables à des fréquences supérieures au GHz. Ce travail de thèse a pour objectif de recenser les techniques de mesure utilisées dans le domaine des composants hyperfréquences, les outils de simulation électromagnétique disponibles, et de les appliquer à la caractérisation et la modélisation de l’émission électromagnétique des circuits intégrés. Le premier chapitre décrit les principes physiques à l’origine des émissions électromagnétiques d’un circuit intégré. Les méthodes de mesure et les modèles comportementaux proposés par les organismes normatifs sont également présentés. Le banc de mesure champ proche développé au laboratoire du LEN7 est présenté dans le chapitre 2. Dans le troisième chapitre est décrite la méthodologie mise au point afin de simuler, à partir du modèle ICEM d’un circuit intégré et à l’aide des outils de simulation de Freescale Semiconducteurs, les mesures normalisées d’émission. Cette technique de modélisation est appliquée au chapitre 4 pour construire le modèle ICEM d’un microcontrôleur 16 bits, et pour prédire les résultats des mesures des émissions conduites et rayonnées. Enfin, le cinquième chapitre décrit comment, une fois établi, ce modèle ICEM peut être utilisé afin de réaliser des simulations CEM au niveau équipement.
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