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机译:生长速度和硅片对金刚石线锯硅片残余应力的影响
Kumar Arkadeep; Prasath R.G.R.; Pogue Vanessa; Skenes Kevin; Yang Chris; Melkote Shreyes N.; Danyluk Steven;
机译:生长速率与晶片对金刚石锯硅晶片残余应力的影响
机译:用HF-HCI-Cl_2混合物蚀刻SiC浆料和金刚石线锯硅片:参数对蚀刻速率和表面结构的影响
机译:通过原生表面无定形层的结晶,菱形丝锯多晶硅晶片的有效表面纹理化
机译:使用阴影波纹技术分析硅晶片中的残余应力。
机译:用树脂粘合金刚石锯锯制线速对相变硅晶片中的相变和残余应力的影响
机译:确定线速度对金刚石线锯硅片表面损伤的影响
机译:构图金刚石线锯多晶硅晶片的方法和制造太阳能电池的方法
机译:利用两步刻蚀制造硅晶片的方法,可精确控制硅晶片的硅单晶层厚度,而无刮痕或残余应力,并且具有检测装置
机译:在具有金刚石和碳化硅层的复合基体上制备用于III族氮化物表皮生长的晶圆前体,并以其制成半导电激光
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