ლაზერული რამან-სპექტროსკოპიით A 3B 5 და A2B6 ტიპის ზოგიერთი ნახევარგამტარის ფუნდამენტური ოპტიკური თვისებების გამოკვლევა და იონური იმპლანტაციის ზეგავლენა მათ რამან-სპექტრებზე

摘要

შესავალი–– თავი 1. ლიტერატურული მიმოხილვა–– თავი 2. ლაზერული რამან-სპექტროსკოპიისა და გამოსხივების მყარ სხეულებთან ურთიერთმოქმედების მოკლე თეორიული საფუძვლები–– თავი 3. ლაზერული სისტემების ხელსაწყოთმშენებლობის განვითარების ეტაპები და თანამედროვე ასპექტები–– თავი 4. ლაზერული რამან-სისტემების კონსტრუქციები–– მათი პრაქტიკული გამოყენების შესაძლებლობები და პერსპექტივები–– 4.1ლაბორატორიული ტიპის ლაზერული რამან-სისტემის კონსტრუქცია სპექტრის ხილულ არეში ამგზნები ლაზერების გამოყენებით–– 4.2 რამანის გაბნევისა და ფოტოლუმინესცენციის ასაგზნებად ჩვენს მიერ გამოყენებული ლაბორატორიული ტიპის ლაზერების კონსტრუქციების გამოყენების ზოგადი კრიტერიუმები–– 4.3 ლაბორატორიული ტიპის არგონისა და კრიპტონის გაზის ლაზერების ჩვენეული კონსტრუქციები–– 4.4 ინფრაწითელი ლაზერული რამან-სპექტრომეტრის რამანის სპექტრების ამგზნები იწ-ლაზერი ძოწის კრისტალზე–– YAG:Nd+ –– 4.5 ლაბორატორიული ტიპის ინფრაწითელი ლაზერული რამან-სისტემა–– შექმნილი საქართველოში პირველად–– თავი 5. ნახევარგამტარული მასალებისათვის ფონონების იდენტიფიკაცია- კლასიფიკაცია–– ლოკალური და ხვრელისმიერი რხევების კონცეფცია და მათი შესწავლა ზოგიერთ ნახევარგამტარში–– 5.1 ნახევარგამტარებში ფონონების კლასიფიკაციისა და მინარევების ლოკალური და ხვრელისმიერი რხევების პრინციპები–– 5.2 კინოვარის–– a-HgS პირველი რიგის ფონონების იდენტიფიკაცია-კლასიფიკაცია–– 5.3 სელენის იზომორფული მინარევის ხვრელისმიერი რხევის იდენტიფიკაცია კინოვარში–– a-HgS–– 5.4 GaP-ში დარიშხანის ხვრელისმიერი და ალუმინის ლოკალური რხევების რამან-სპექტრები–– 5.5 ბუნებრივი მინერალების - რეალგარისა და აურიპიგმენტის ლაზერული რამან-სპექტრები–– თავი 6. ნახევარგამტარული შერეული კრისტალების ტიპები–– თეორიული მოდელები და მათი ექსპერიმენტული გამოკვლევა ლაზერული რამან-სპექტროსკოპიით–– 6.1 ფონონების ყოფა-ქცევის მიხედვით შერეული კრისტალების ტიპებად დაყოფის თეორიული მოდელები–– 6.2 შერეული ეპიტაქსიალური ფირების–– GaAsP–– ლაზერული რამან-სპექტროსკოპი–– 6.3 შერეული კრისტალების–– ZnTexSe1-x ლაზერული რამან-სპექტროსკოპია–– 6.4 შერეული ეპიტაქსიალური ფირების–– GaxAl1-xP ლაზერული რამან-სპექტროსკოპია–– თავი 7. რეზონანსული რამანის გაბნევის შესწავლა განსხვავებული სტრუქტურის–– ზონური აღნაგობისა და შემადგენლობის ნახევარგამტარებში–– 7.1 ნახევარგამტარების რეზონანსული რამანის გაბნევის მოკლე თეორია–– 7.2 არაპირდაპირზონიანი ნახევარგამტარების a-HgS და GaP რეზონანსული რამან-სპექტროსკოპია–– 7.3. პირდაპირზონიანი შერეული ნახევარგამტარული კრისტალების–– Zn Te1-xSex რეზონანსული რამან-სპექტროსკოპია––თავი 8. ლაზერული რამან-სპექტროსკოპიის გამოყენება იონური იმპლანტაციით მოდიფიცირებული ნახევარგამტარული ზედაპირების მონიტორინგის მიზნით–– 8.1 ბორისა და არგონის იონების იმპლანტაციით მოდიფიცირებული GaP-ს კრისტალური მესერის რხევითი დინამიკის შესწავლა ლაზერული რამან-სპექტროსკოპიით–– 8.2 ბორითა და არგონით იმპლანტირებული GaAs ლაზერული რამან-სპექტროსკოპია–– 8.3 იონური იმპლანტაციით სინთეზირებული სამმაგი შერეული კრისტალების–– GaAsxP1-x და GaxAl1-xAs–– ლაზერული რამან-სპექტროსკოპია–– ძირითადი დასკვნები–– ლიტერატურა