机译:锡含量为6%-15%的GeSn层中拉曼光谱位移与应变和组成的关系
机译:在预先构图的Si(1 1 1)衬底上生长的Au催化的MBE生长的GaAs-AlGaAs核壳纳米线的低温光致发光和拉曼声子模式
机译:在MBE-生长的GESN外延层中组成均匀性和大程度的应变松弛,含有16%Sn
机译:高Sn含量的GeSn合金的MBE生长以及与组成有关的吸收边位移
机译:宽带隙单倍铜矿三元合金MBE种植的MGZNO薄膜
机译:通过MBE在Si(111)上生长的纳米壁网络纳米柱和致密膜之间的GaN结构变化
机译:拉曼光谱偏移与Gesn层中的应变和成分有: sn含量为6%至15%
机译:使用mBE生长的si(/ si(1-x)Ge(x)结构的LWIR探测器的可能性