机译:锡含量为6%-15%的GeSn层中拉曼光谱位移与应变和组成的关系
Univ. Grenoble Alpes, CEA-INAC, 17 rue des Martyrs, 38000 Grenoble, France;
Univ. Grenoble Alpes, CEA-LETI, Minatech, 17 rue des Martyrs, 38000 Grenoble, France;
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机译:在Ge上生长的Sn含量高达15%的假晶GeSn层中的伽马带隙测定
机译:在MBE-生长的GESN外延层中组成均匀性和大程度的应变松弛,含有16%Sn
机译:高SN含量GESN层的SN相关VARSHNI参数的实验校准
机译:显微拉曼光谱研究高Ge含量的薄SiGe缓冲层中的应变和成分
机译:高速含量GESN合金朝向室温中红外激光
机译:低温磁控溅射法生长的Sn含量高达7%的高质量GeSn层
机译:拉曼光谱偏移与Gesn层中的应变和成分有: sn含量为6%至15%