机译:AlN成核层对高温氢化物气相外延法生长AlN薄膜的影响
机译:在1300℃以上的AlN的氢化物气相外延中,在1065℃下在蓝宝石衬底上生长薄保护AlN层。
机译:Aln纳米结构和平面,无效,由氢化物气相外延形成图案的蓝宝石基材上形成的较低的ALN模板
机译:AlN中间层对氢化物气相外延生长GaN薄膜的影响
机译:通过氢化物-金属有机气相外延生长氮化镓和氮化铟膜以及纳米结构材料。
机译:氢化物气相外延在(0001)AlN上成核并生长(10’11)半极性AlN
机译:氢化物气相外延(0001)AlN(0001)半极性ALN的成核和生长