首页> 外文OA文献 >MOS-gated thyristors (MCTs) for repetitive high power switching

【2h】

MOS-gated thyristors (MCTs) for repetitive high power switching

机译：用于重复高功率开关的MOS门晶闸管（MCT）

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
S.B. Bayne; W.M. Portnoy; A.R. Hefner;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2001
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. MOS-gated thyristors (MCTs) for repetitive high power switching [J] . Bayne S.B., Portnoy W.M., Hefner A.R. Jr. IEEE Transactions on Power Electronics . 2001,第1期

机译：MOS门控晶闸管（MCT）用于重复的高功率开关
2. The MOS-gated emitter switched thyristor [J] . Baliga B.J. IEEE Electron Device Letters . 1990,第2期

机译：MOS门极发射极开关晶闸管
3. A new MOS-gated power thyristor structure with turn-off achieved by controlling the base resistance [J] . Nandakumar M., Baliga B.J. IEEE Electron Device Letters . 1991,第5期

机译：通过控制基极电阻实现关断的新型MOS门控功率晶闸管结构
4. MOS-gated Thyristors (MCTs) For High Power Switching [C] . Bayne, S.B., Portnoy, . 2001

机译：MOS门控晶闸管（MCT），用于大功率开关
5. The MOS-gated emitter switched thyristor (EST). [D] . Mallikarjunaswamy, Shekar Soma. 1993

机译：MOS门控发射极开关晶闸管（EST）。
6. Identification of Gate Turn-Off Thyristor Switching Patterns Using Acoustic Emission Sensors [O] . Maciej Kozak, Artur Bejger, Arkadiusz Tomczak 2021

机译：使用声发射传感器识别闸门关断晶闸管开关图案
7. Effects of Vth adjustment ion implantation on Switching Characteristics of MCT(MOS Controlled Thyristor) [O] . Kun-Sik Park, Doohyung Cho, Jong-Il Won, 2016

机译：VTH调整离子植入对MCT（MOS控制晶闸管的开关特性的影响

代理获取

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号