ENERGY GAPS (SOLID STATE); MICROELECTRONICS; SINGLE EVENT UPSETS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; TRANSIENT RESPONSE; ENERGY DISTRIBUTION; CIRCUITS; pulsed lasers; MeV inomicrobeam; TCAD; si pin; DIFFUSIVITY; PHOTONS; PLASMAS (PHYSICS);
机译:高速Si光子器件中上述带隙激光和MeV离子诱导的单事件瞬态的比较
机译:短脉冲X射线,激光和重离子产生的单事件瞬变的比较
机译:I / O设备中单事件引起的瞬态:特性
机译:17 mev至200 mev质子辐照,以表征CCD对单事件瞬态的敏感性
机译:体和SOI FinFET中的辐射引起的单事件瞬变(SET)效应以及与体CMOS的鲁棒性比较。
机译:微流体碳黑聚二甲基硅氧烷器件具有降低的紫外背景荧光可在单细胞分析中同时进行两种颜色的紫外/可见激光诱导的荧光检测
机译:用于线性器件中单事件瞬变的脉冲激光器测试方法