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Analysis of Optically Controlled Microwave/Millimeter Wave Device Structures

机译：光控微波/毫米波器件结构分析

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The light-induced voltage and the change in the source-to-drain channel current under optical illumination higher than the semiconductor bandgap for GaAs MESFET, InP MESFET, Al0.3Ga0.7As/GaAs high electron mobility transistor (HEMT) and GaAs permeable base transistor (PBT) were analytically obtained. The GaAs PBT and GaAs MESFET have much higher sensitivity than InP MESFET. The Al0.3Ga0.7As/GaAs HEMT is observed to have the highest sensitivity. Variation in device parasitics due to optical illumination and its effect on the cutoff frequencies f sub T and f sub max are also investigated.

著录项

作者
Simons, R. N.; Bhasin, K. B.;
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作者单位

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年度 1986
页码 p.1-17
总页数 17
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Integrated circuits; Energy gaps(Solid state); Microwave equipment; Millimeter waves; Semiconductor devices; Electric potential; Electron mobility; Gallium arsenides; Optical density;

机译：集成电路;能隙（固态）;微波设备;毫米波;半导体器件;电势;电子迁移率;砷化镓;光密度;

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