AMPLIFIER DESIGN; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; INTEGRATED CIRCUITS; MICROWAVE CIRCUITS; POWER AMPLIFIERS; InP MMIC power amplifiers;
机译:125 GHz 140 mW InGaAs / InP复合通道HEMT MMIC功率放大器模块
机译:一个20 mW,150 GHz InP HEMT MMIC功率放大器模块
机译:具有427mW功率输出的95GHz InP HEMT MMIC放大器
机译:65-145 GHz InP MMIC HEMT中功率放大器
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:使用120 nm变形HEMT和共面波导的高增益110 GHz低噪声放大器MMIC
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC