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Study of semiconductor heterojunctions of ZnSe, GaAs and Ge Semiannual progress report, period ending 30 Sep. 1968

机译：Znse，Gaas和Ge半导体半导体异质结的研究进展报告，截止日期为1968年9月30日

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Gain, frequency and temperature dependence in heterojunction transistors of GaAs, ZnSe, and Ge

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作者
Feucht, D. L.; Milnes, A. G.;
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作者单位

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年度 1968
页码 1-33
总页数 33
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
AMPLIFICATION; FREQUENCY RESPONSE; GALLIUM ARSENIDES; GERMANIUM; JUNCTION TRANSISTORS; TEMPERATURE; ZINC SELENIDES; HYDROCHLORIC ACID; IODINE; N-N JUNCTIONS; OPTICAL PROPERTIES; PHOTODIODES;

机译：放大;频率响应; GaLLIUm aRsENIDEs;锗;结晶晶体管;温度; ZINC sELENIDEs;盐酸;碘; N-N结;光学特性;光二极管;

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