Silicon ; Crystal Defects ; Experimental Data ; Integrated Circuits ; Ion Implantation ; Physical Radiation Effects ; Silicon Ions ; Meetings ; Tables(data);
机译:通过在铜注入的硅晶体中通过铜的媒介作用迁移的空位来增强自填隙簇的s灭
机译:基于物理的离子注入硅中自填隙团块的时空演化模型
机译:共注入碳和硼在硅中的扩散及其对过量自填隙的影响
机译:原位光激发诱导的离子注入硅中点缺陷产生的抑制
机译:硅锗合金中离子注入引起的自填隙的演变。
机译:离子注入与原位掺杂相结合制备硅纳米线p–n结的新方法
机译:通过原位光激发在离子注入期间抑制硅中的自填隙
机译:通过原位光激发在离子注入期间抑制硅中的自填隙