Superconductors; Buffers; Chemical vapor deposition; Critical current; Deposition; 211 Evaluation; Magnetic fields; Sensitivity analysis;
机译:ScGaO_3(ZnO)_m缓冲层制备ScAlMgO_4外延薄膜及其在ZnO外延生长的晶格匹配缓冲层中的应用
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:外延氧化铈缓冲层和YBa_2Cu_3O7-δ薄膜在微波器件中的应用
机译:使用设计的缓冲层用于新型存储器应用的Si衬底上的(Ni,Zn)Fe_2O_4薄膜的外延生长和磁性行为
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:评估超导体和缓冲层外延层的应用方法
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