Silicon; Crystal growth; Silicon solar cells; Cost; Cutting; Czochralski method; Economics; Feasibility studies; ERDA/140501; ERDA/360601; Photovoltaic cells; Laser machining;
机译:硅切克劳斯基炉的部分三维整体建模。 Ⅱ。模型应用:横向磁场下的硅直拉炉分析
机译:低能质子研究直拉硅,浮区硅和含氧浮区硅的辐射硬度
机译:快速热退火诱导的多晶硅钝化钝化和伴有Czochralski和铸造多晶硅基材的钝化接触
机译:阐明热预算在磷掺杂多晶硅细胞的加工过程中对N型Czochralski-生长升级的冶金级硅晶片的体积劣化作用
机译:大量寿命限制Czochralski硅和石墨烯氧化物的缺陷作为表面钝化材料
机译:改进的切克劳斯基方法从铝硅熔体中分离和回收精制硅
机译:连续Czochralski生长的先进方法的开发。用于低成本硅太阳能阵列项目的大面积硅片任务的硅片生长开发。第二季度进度报告,1978年1月1日 - 1978年3月17日
机译:连续的Czochralski增长。开发先进的Czochralski生长工艺,从单坩埚生产低成本150 Kg硅锭,实现技术准备