Organic Compounds; Anisotropy; Crystal Growth; Interfaces; Solidification; Stability; Acetone; Bromides; Camphor; Carbon Compounds; Chlorides; Crystal Defects; Crystals; Dendrites; Experimental Data; Finite Element Method; Materials; Mathematical Models; Microstructure; Morphology; Nitriles; Response Functions; Steady-State Conditions; Surface Energy; Temperature Dependence; Tables(data); Napthalene; EDB/360602; Theses; Liquid-solid interfaces; Carbon tetrabromide; Hexachloroethane;
机译:吸附相互作用的胶体晶体生长界面上颗粒的吸附,解吸,表面扩散,晶格缺陷形成和扭折结合过程
机译:浓缩介质内部界面附近的点缺陷的集中度提高的区域:V. Ta,W,Pt和Pd的多晶共轭区核心之外的空位形成焓
机译:具有高点缺陷浓度的晶体在高应变率变形下位错运动的动态不稳定性
机译:SiC晶体的扩大:界面处的缺陷形成
机译:晶体生长过程中的界面稳定性和缺陷形成。
机译:部分厚度黄斑缺陷的形态:Müller细胞的推定作用和低机械稳定性的组织层界面
机译:晶体生长过程中的界面稳定性和缺陷形成
机译:晶体生长期间的界面稳定性和缺陷形成