机译:在室温下使用脉冲PECVD在SiH_4-NH _3等离子体下沉积的氮化硅膜的占空比控制反射特性
机译:SiH4-NH3-Ar放电中氮化硅的低温ICPECVD光谱椭圆分析和在KOH和BHF中的蚀刻行为
机译:光CVD氮化硅膜的蚀刻速率对缓冲H中NH_4F含量的依赖性。
机译:低温度下从SiH_4-SiF_4-NH_3沉积的氟化氮化硅膜
机译:6H-碳化硅(0001)的表面蚀刻及其对氮化镓,MOCVD的氮化铝和APCVD的碳化硅生长的影响。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:使用全氮配位的前驱物进行氮化铌和氮氧化物的MOCVD:薄膜沉积和机理研究