Ferroelectric materials; Thin film capacitors; Test and evaluation; Electrodes; Silicon; Nonvolatile memories; Perovskites;
机译:4.0纳米厚的非晶Nb-Ni膜作为用于在Si上集成铁电电容器的导电扩散阻挡层
机译:用于在硅上集成铁电电容器的Ni-Al扩散阻挡层
机译:覆盖势垒层对尺寸为3 x 3μm'的集成式Pb(Zr,Ti)O_3铁电电容器组成和结构变化的影响
机译:通过具有原子层沉积阻挡层,种子层和直接镀层的硅通孔进行高深宽比的可靠性测试,以及用于3D集成的电接枝绝缘体,阻挡层和种子层的材料特性表征
机译:多层阻挡层电容器的制造与表征。
机译:缓冲层电容对铁电聚合物电容器电气特性的影响和场效应晶体管
机译:用于在硅上集成铁电电容器的镍铝扩散阻挡层