Defects(Materials); Detection; Silicon carbides; Electron spin resonance; Field effect transistors; Symposia; Semiconductors;
机译:电检测磁共振研究SiC金属氧化物半导体场效应晶体管中的性能限制缺陷
机译:氢再结合对SiC / SiO _x异超晶格中的硅量子点产生的钝化钝化作用(会议论文)
机译:SiC外延p-n结二极管的性能限制表面缺陷
机译:减少SiC外延衬底中的性能限制缺陷
机译:氮化镓/氮化铝镓高电子迁移率晶体管中的可靠性限制缺陷。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:SiC外延p-n结二极管的性能限制表面缺陷