首页> 美国政府科技报告 >LEED Investigation of Extended Defects at the Surface of Ge Films Grown Epitaxially on GaAs(110)

【24h】

LEED Investigation of Extended Defects at the Surface of Ge Films Grown Epitaxially on GaAs(110)

机译：LEas外延生长的Ge薄膜表面延伸缺陷的LEED研究（110）

获取原文

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

No abstract available.

著录项

作者
Clearfield, H. M.; Welkie, D. G.; Lu, T. M.; Lagally, M. G.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1981
页码 p.1-10
总页数 10
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Germanium; Epitaxial growth; Gallium arsenides; Crystal defects; Semiconductors; Low energy; Electron diffraction; Substrates; Single crystals; Surfaces; Films; Reprints;

机译：锗;外延生长;砷化镓;晶体缺陷;半导体;低能量;电子衍射;基板;单晶;表面;薄膜;重印;
入库时间 2022-08-29 11:33:51

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Cloning and Characterization of a Novel cDNA Encoding Late Embryogenesis-Abundant Protein 5 Like (LEA-5) Gene from Cara Cara Navel Orange Fruit(Citrus sinensis Osbeck) [J] . TAO Neng-guo, YE Jun-li, XU Juan, 农业科学学报（英文版） . 2006,第004期
2. A LEED study of surface relaxation in Fe(110) epitaxial film on W(110) [J] . M. Rybicki, I.Zasada, K. Freindl, Applied Surface Science . 2013,第deca1期

机译：在W（110）上的Fe（110）外延膜中的表面弛豫的LEED研究
3. Microstructure and Magnetic Properties of bcc-Co Films Epitaxially Grown on GaAs(110)_(B3) Single-Crystal Substrates [J] . Mitsuru Ohtake, Osamu Yabuhara, Jumpei Higuchi, Annales de l'I.H.P . 2011,第1期

机译：GaAs（110）_（B3）单晶衬底上外延生长的bcc-Co薄膜的微观结构和磁性
4. Structural and magnetic properties of epitaxially grown MnAs films on GaAs(110) [J] . D. Kolovos-Vellianitis, C. Herrmann, L. Daeweritz, Applied Physics Letters . 2005,第9期

机译：GaAs（110）上外延生长的MnAs薄膜的结构和磁性
5. HRTEM Study of the Extended Defect Structure in Epitaxial Ba_(0.3)Sr_(0.7)TiO_3 Thin Films Grown on (001) LaAlO_3 [C] . C.J. Lu, L.A. Bendersky, K. Chang, Materials Research Society Symposium . 2003

机译：HRTEM在（001）LAALO_3生长的外延BA_（0.3）SR_（0.7）TiO_3薄膜中的扩展缺陷结构研究
6. Microstructural investigation of defects in epitaxial gallium arsenide material grown on mismatched germanium and silicon-germanium/silicon substrates. [D] . Boeckl, John J. 2005

机译：在不匹配的锗和硅锗/硅衬底上生长的外延砷化镓材料中的缺陷的微观结构研究。
7. Epitaxially Grown Films of Standing and Lying Pentacene Molecules on Cu(110) Surfaces [O] . Tatjana Djuric, *, Thomas Ules, -1

机译：Cu（110）表面上并列和并列的并五苯分子的外延生长膜
8. Influence of mismatch on the defects in relaxed epitaxial InGaAs/GaAs(100) films grown by molecular beam epitaxy [O] . Westwood David I., Woolf D. A., Vilà i Arbonès Anna Maria, 2012

机译：失配对分子束外延生长的弛豫外延InGaAs / GaAs（100）薄膜中缺陷的影响
9. Low-Energy Electron Diffraction Study of the Surface-Defect Structure of Ge Grown Epitaxially on GaAs (110) [R] . Clearfield, H. M., Welkie, D. G., Lagally, M. G. 1981

机译：Gaas上外延生长Ge表面缺陷结构的低能电子衍射研究（110）

LEED Investigation of Extended Defects at the Surface of Ge Films Grown Epitaxially on GaAs(110)

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅