Epitaxial growth; Gallium arsenides; Aluminum gallium arsenide; Heterojunctions; Electrical properties; Molecular beams; Optical properties; Optimization; Reprints; Substrates; Two dimensional; Crystal structure; Electron gas; Holes(Electron deficiencies); Carrier;
机译:GaAs(nll)A衬底上通过分子束外延生长的GaAs / AlGaAs / AlAs异质结构中的AlAs氧化过程
机译:通过分子束外延生长的GaAs / AlGaAs和InGaAs / InAlAs异质结构中的超扁平(411)A界面和均匀波纹(775)B界面
机译:分子束外延生长GaAs / AlGaAs异质结构中自发发射量子效率的确定和提高
机译:分子束外延和金属有机气相外延生长的GaAs / AlGaAs量子阱红外光电探测器的比较研究
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:分子束外延生长的亚毫安级阈值电流伪态InGaAs / AlGaAs埋藏异质结构量子阱激光器
机译:分子束外延(mBE) - 未掺杂Gaas / alGaas双异质结构(DH)的非辐射寿命的优化。