Epitaxial growth; Molecular beams; Diffraction; Oscillation; Sources; Reprints; Gallium arsenides; Intensity; Damping; Reflection; Surfaces; High energy; Angle of incidence; Azimuth; Statics; Electron diffraction;
机译:通过RF-MBE在替代源供应ALN增长中的氮气供应下的多循环Rheed振荡
机译:通过RF-MBE在替代源供应ALN增长中的氮气供应下的多循环Rheed振荡
机译:CaF_2 / Si / CaF_2结构MBE生长过程中RHEED镜面反射的振荡强度分析
机译:分子束外延(MBE)生长过程中反射高能电子衍射(RHEED)衰减的衍射条件依赖性
机译:通过同时使用原位反射高能电子衍射(RHEED)和反射电子能量损失谱(REELS)来表征MBE生长的金属,半导体和超导体薄膜和界面
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:RHEED控制的AlGaN / GaN异质结构中高电子迁移率2DEG的MBE生长
机译:来自Gaas(111)B表面的RHEED图案的生长条件依赖性。