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【24h】

Intersubband absorption in n-type GaAs/AlGaAs(001) quantum wells: A tight-binding study

机译:n型GaAs / AlGaAs(001)量子阱中的子带间吸收:紧密结合研究

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摘要

We present theoretical calculations of the intersubband absorption in the conduction band of GaAs/AlGaAs (001) quantum wells (QWs), performed using the sp(3)d(5)s* empirical tight-binding model and a Green's functions approach. The absorption spectra for both in-plane (TE) and perpendicular (TM) polarizations are calculated. The obtained TE/TM absorption ratio is in excellent agreement with recent experimental results. We find that the asymmetry of the QW potential has no significant effect on the TE/TM ratio. (C) 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. [References: 17]
机译:我们介绍了使用sp(3)d(5)s *经验紧密绑定模型和格林函数方法进行的GaAs / AlGaAs(001)量子阱(QWs)导带中子带间吸收的理论计算。计算面内(TE)和垂直(TM)极化的吸收光谱。所获得的TE / TM吸收比与最近的实验结果非常吻合。我们发现QW电位的不对称性对TE / TM比没有显着影响。 (C)2004 WILEY-VCH Verlag GmbH&Co. KGaA,Weinheim。 [参考:17]

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