机译:A(I)B(III)C(2)(VI)和A(II)B(IV)C(2)(V)黄铜矿半导体的介电常数
BULK MODULUS; BOND SUSCEPTIBILITIES; OPTICAL-PROPERTIES; STRUCTURED SOLIDS; IONIC CHARGE; ZINC BLENDE; ROCK-SALT; CRYSTALS;
机译:A(I)B(III)C(2)(VI)和A(II)B(IV)C(2)(V)黄铜矿半导体的介电常数
机译:I-III-VI_2和II-IV-V_2黄铜矿半导体中的三维拓扑绝缘体
机译:I-III-VI2型黄铜矿半导体的介电性能
机译:II-VI III-VI和IV-VI类半导体与金属的相互作用
机译:III-V互补金属氧化物半导体上的高介电常数氧化物。
机译:III型氮化物半导体中II型能带对准的证据:In0.17Al0.83N / GaN异质结构的实验和理论研究
机译:I-III-VI中的三维拓扑绝缘体$ _ $ $和II-IV-V $ _2 $ 黄铜矿半导体
机译:用于太阳能电池应用的II - IV - V sub 2黄铜矿半导体的研究。 1977年7月1日至1977年9月30日第4号季度报告。