声明
第1章 绪 论
1.1引言
1.2 CIGS薄膜太阳能电池简介
1.3 CuGaTe2热电材料简介
1.4本文研究内容
第2章 计算方法与理论基础
2.1第一性原理计算（first-principles calculation）
2.2密度泛函理论和交换关联函
2.3薛定谔方程
2.4电子结构
2.5常用软件介绍
第3章 Cu0.75In0.25GaSe2（112）表面的元素钝化研究
3.1 计算方法
3.2 CIGS体相的晶格结构及电子性能
3.3 两种终端的CIGS（112）表面结构模型
3.4 CIG为终端的CIGS（112）表面结构及局域态密度
3.5 Se为终端的CIGS（112）表面结构及电子性能
3.6 Cl、F、H元素在Se为终端的CIGS（112）表面的吸附模型
3.7 单个元素在Se为终端的CIGS（112）表面的吸附
3.8 0.5 ML Cl、F和H元素钝化CIGS（112）表面态
3.9 本章小结
第4章 Cu0.714GaTe2热电材料的掺杂计算
4.1 计算方法
4.2 Cu0.714GaTe2体相结构及电子特性
4.3 单个Sb原子在Cu0.714GaTe2体相晶胞中的掺杂计算
4.4 两个Sb原子在Cu0.714GaTe2体相晶胞中的掺杂分析
4.5 本章小结
结论
参考文献
致谢
附录 攻读硕士期间发表学术论文目录
