机译:缓冲层对自对准顶栅a-IGZO TFT特性的影响
Metal-oxide semiconductors; Self-aligned TFT; Flexible displays;
机译:缓冲层对自对准顶栅a-IGZO TFT特性的影响
机译:热退火序列对自对准顶栅A-IGZO TFT性能的影响
机译:光屏蔽金属对自对准顶栅结构的A-IGZO TFT性能的影响
机译:具有超薄PECVD SiO2栅介质的自对准顶栅a-IGZO TFT的性能
机译:用于自对准IGZO TFT的植入活性源/漏区
机译:通过刻蚀停止层纳米层的清洁界面工艺增强a-IGZO TFT器件的性能
机译:通过蚀刻停止纳米层使用清洁接口处理来增强A-IGZO TFT器件性能