机译:采用全真空工艺制造的具有三元氧化物保护层的PDP的放电特性
机译:采用全真空工艺制造的具有三元氧化物保护层的PDP的放电特性
机译:掺铁MgO保护层的AC PDP放电特性
机译:掺杂Si的MgO保护层对AC-PDP放电特性的温度影响
机译:采用全真空工艺制造的高y PDP的放电特性
机译:氧化锶-氧化铜-二氧化钛三元体系的各方面与钛酸锶和铜掺杂的钛酸锶薄膜缓冲层的沉积有关。
机译:高Na +扩散导致层状钴氧化物的快速放电过程
机译:采用“全真空”工艺制造的srCaO保护层等离子体显示板的放电特性
机译:二元和三元氧化物薄膜原子层外延低温沉积过程的研究