携帯電話基地局用窒化ガリウム電力増幅器（GaN HEMT）の開発

摘要

高耐圧かつ高速性に優れるGaNの材料物性に注目して通信用GaN HEMTを開発してきた。ターゲット市場の1つである携帯電話基地局では、AB級動作を想定して第1世代技術を、次いで、更なる高効率化を実現すべく、ドハティ動作を想定して第2世代技術を開発した。基地局の小型化や環境負荷低減の流れからGaN HEMTの高効率性が認知され、市場参入を拡大している。今後もLTEや第4世代基地局システムに適した技術開発と製品化を進めていく。