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机译:在低于300 MeV / u的能量区域中Z <= 10离子的轨迹追踪方法
机译:在低于300 MeV / u的能量区域中Z <= 10离子的轨迹追踪方法
机译:中子诱发反应O(n,x)〜(10)Be,Si(n,x)〜(10)在中子能71和112 MeV下的截面测量以及能量积分截面测量(0.1
机译:估计在0.2-1.5 MeV能量范围内吸收光子能量的某些解决方案的有效原子序数:另一种方法
机译:质子诱导能量区域铅的反应的计算高达300 meV
机译:在300 MeV和700 MeV之间的光子能量下,反应γn→π0n的微分截面
机译:位于10号染色体端粒区域的两个基因座Tmevp2和Tmevp3控制着泰勒病毒在小鼠中枢神经系统中的持久性。
机译:研究300-700 meV能区中的中子 - 质子相互作用。最后进度报告,1991年7月至1994年8月
机译:测量0.01-5 meV能区中exp 233 U,exp 235 U和exp 239 pu热中子诱发裂变的瞬发中子谱和0.01-10 mev区域中的exp 252 Cf自发裂变