京都大学;
机译:用于300 MeV和392 MeV质子诱导的反应的质子产生双微分截面
机译:在中子能为10-12 MeV的锆的某些同位素上的(n,p),(n,alpha)和(n,2n)反应的截面以及使用14 MeV d(是)中子谱。
机译:通过(n,2n),(n,p)和(n,α)反应形成的异构对Ge-75(m,g)反应的横截面在13.73 MeV至14.77 MeV范围内测量,并从接近阈值至20 MeV中子能
机译:电荷交换反应的差分横截面π{sup} -p→π{sup} 0n的势头范围为148至323 mev / c
机译:中子诱导的反应横截面高达18米温度的先进反应器设计
机译:36AR(dα)34mcl40ar(dα)38cl和40ar(dp)低于8.4 mev的41ar核反应的横截面
机译:在15 MeV至20 MeV的氘核能量范围内,反应C¹(d,α)BBº和O¹⁶(d,α)N¹⁴的微分和积分截面
机译:质子康普顿散射的微分截面在光子实验室能量在700和1000 meV之间