首页> 外文期刊>Laser Physics: An International Journal devoted to Theoretical and Experimental Laser Research and Application >Diode-pumped room temperature single longitudinal mode lasing of Tm,Ho:YLF microchip laser at 2050.5 μm
【24h】

Diode-pumped room temperature single longitudinal mode lasing of Tm,Ho:YLF microchip laser at 2050.5 μm

机译:2050.5μm的Tm,Ho:YLF微芯片激光器的二极管泵浦室温单纵模激光发射

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Room-temperature operation of a single longitudinal-mode c-cut Tm(6%), Ho(0.4%):YLF microchip laser is reported. An incident pump power of 713 mW is used to generate the maximum single-frequency output power of 17 mW at 2050.5 nm, which corresponds to the slope efficiency of 10%.
机译:报告了单纵模c切割Tm(6%),Ho(0.4%):YLF微芯片激光器的室温操作。 713 mW的入射泵浦功率用于在2050.5 nm处产生17 mW的最大单频输出功率,这相当于10%的斜率效率。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号