机译:牺牲粘合促进层,用于器件结构的铜金属化
SUPERCRITICAL CARBON-DIOXIDE; CHEMICAL FLUID DEPOSITION; INTERCONNECT TECHNOLOGY; REACTIVE DEPOSITION; SILICATE SURFACE; CU FILMS; 1; 1; 1; 5; 5; 5-HEXAFLUORO-2; 4-PENTANEDIONE; DEGRADATION; REDUCTION; OXIDE;
机译:牺牲粘合促进层,用于器件结构的铜金属化
机译:牺牲层技术所用的Al {sub} 2O {sub} 3陶瓷基板上Ni结构的附着力
机译:使用AZ光刻胶作为金属化Si衬底上的牺牲层,释放高深宽比的SU-8微结构
机译:超临界二氧化碳中Cu沉积的牺牲粘附促进层
机译:铜-钌多层纳米结构中的粘附性和使用Miedema图选择扩散阻挡金属进行铜金属化
机译:用于释放金属化多层SU-8器件的牺牲层技术
机译:用于释放金属化多层SU-8器件的牺牲层技术