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机译:通过基于紫外线的纳米压印光刻技术在50 nm半间距处制作34 x 34横杆结构
机译:通过基于紫外线的纳米压印光刻技术在50 nm半间距处制作34 x 34横杆结构
机译:基于UV的纳米压印光刻技术在50 nm半间距处制造34×34横杆结构
机译:基于UV的纳米压印光刻技术在低于50 nm半间距的多位纵横制电路的制作
机译:具有多头纳米压印单元的UV-NanoImprint光刻,用于子50nm半间距图案
机译:通过纳米压印光刻和纳米转移印刷来制造三维有机纵横制电路。
机译:纳米压印光刻步进机用于批量生产前沿半导体集成电路
机译:通过基于UV的纳米压印光刻法在50nm半间距下制造34×34横杆结构