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Eu3+掺杂Gd2O3-SiO2纳米复合材料制备与荧光性能研究

机译:Eu3+掺杂Gd2O3-SiO2纳米复合材料制备与荧光性能研究

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摘要

采用溶胶-凝胶法制备了不同浓度Eu3+ (0.1, 0.3, 0.5, 1, 3)掺杂的Gd2O3-SiO2纳米复合材料。通过热分析法(DSC-TG)、X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶转换红外光谱(FTIR)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)等方法分析材料的表面形貌和结构特征,并用荧光光谱仪(PL)分析材料的发光性能。结果表明:样品在400℃开始生成结晶,在1000℃热处理后在非晶基体中形成了磷灰石结构的晶体Gd9.33(SiO4)6O2,在1250℃生成不同结构的Gd2O3-SiO2晶体。发射光谱中得到在612 nm处得到一个较宽的发射峰,是由于Eu3+的5D0→7F2跃迁造成的红光发射带。在1250℃热处理条件下,得到最强发射光峰位于585 nm,属于5D0→7F1的能级变化,且当Eu3+离子掺杂浓度达到1时发光性能最好。
机译:采用溶胶-凝胶法制备了不同浓度Eu3+ (0.1%, 0.3%, 0.5%, 1%, 3%)掺杂的Gd2O3-SiO2纳米复合材料。通过热分析法(DSC-TG)、X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶转换红外光谱(FTIR)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)等方法分析材料的表面形貌和结构特征,并用荧光光谱仪(PL)分析材料的发光性能。结果表明:样品在400℃开始生成结晶,在1000℃热处理后在非晶基体中形成了磷灰石结构的晶体Gd9.33(SiO4)6O2,在1250℃生成不同结构的Gd2O3-SiO2晶体。发射光谱中得到在612 nm处得到一个较宽的发射峰,是由于Eu3+的5D0→7F2跃迁造成的红光发射带。在1250℃热处理条件下,得到最强发射光峰位于585 nm,属于5D0→7F1的能级变化,且当Eu3+离子掺杂浓度达到1%时发光性能最好。

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