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【24h】

Double exposure inverse lithography

机译:二次曝光反光刻

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摘要

The two masks required for double exposure techniques (such as chromeless phase-edge lithography) can be designed using inverse lithography methods.
机译:可以使用反光刻方法设计两次曝光技术(例如无铬相边缘光刻)所需的两个掩模。

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