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机译:二次曝光反光刻
机译:部分相干双曝光光刻技术的基于梯度的反光刻方法
机译:二次曝光反光刻
机译:在X射线光刻中使用扩大的图案掩模在线条和空间图案形成中通过两次曝光极大地扩大了接近间隙(曝光方法向对称照明的演变)
机译:双曝光和双重标签研究与逆光刻
机译:光刻技术的应用:用于双曝光光刻的材料建模和形状编码生物传感器阵列的开发
机译:胶体光刻法制备湿敏性聚乙二醇逆蛋白石微图案
机译:具有双曝光光学光刻的纳米模具制造,用于可伸缩的聚合物上金属的可抗抗性图案化
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。