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机译:通过7区JTE端接技术实现通信的直流偏置可靠性
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机译:4H-SiC中压设备的JTE环终端中的几何效应
机译:具有单区JTE端接的3.3 kV 4H-SiC JBS二极管
机译:适用于1200 V级SiC器件的新型双沟槽,埋入P JTE边缘终端
机译:关于共同基金终止,生存偏差和智能货币效应
机译:GaAs / AlGaAs 2D系统中微波激励和直流偏置共同作用下直流电流偏置引起的霍尔电阻的B周期振荡
机译:在右下额外额外切入和认知偏置修饰中组合TDCs的随机试验:饮用和酒精偏差的空效应
机译:电子束焊接:高压偏置传输线和终端电路模型。