机译:干法刻蚀增强纳米氮化镓的光催化活性
机译:干法刻蚀增强纳米氮化镓的光催化活性
机译:通过RIE干蚀刻和KOH湿蚀刻技术结合沿<1120>方向制造GaN基条纹结构,以恢复干蚀刻损伤
机译:ICP干法刻蚀形成的纳米粗糙GaN激光剥离发光二极管的光输出增强
机译:干刻蚀成纳米柱阵列增强了GaN的光电化学活性
机译:干湿GaN蚀刻优化形成高纵横比纳米线
机译:了解GaN:ZnO固溶体的可见光光催化活性:Rh2-yCryO3助催化剂的作用和电荷载流子在数十秒内的寿命
机译:用于在GaN(0001)衬底上制造量子纳米结构的AlGaN / GaN的ECR干蚀刻和选择性MBE生长的研究
机译:用于干蚀刻GaN,alN,InGaN和InalN的等离子体化学物质