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机译:质子辐照高压AlGaN / GaN HEMT中关态器件特性的高光谱电致发光特性
机译:质子辐照高压AlGaN / GaN HEMT中关态器件特性的高光谱电致发光特性
机译:5 MeV质子辐照的常关p-AlGaN栅极AlGaN / GaN HEMT的降解特性
机译:模拟AlGaN / GaN HEMT中的质子辐照:了解临界电压的增加
机译:通过背面质子辐照增强AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管截止态漏极击穿电压
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:用于开关电力应用的AlGaN / GaN MIS-HEMT的断开状态击穿特性